常用晶格能的大小来表示离子键的强度。它是度量晶格稳定性的参数。影响晶格能大小的因素有离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型，电荷高、半径小的离子，其晶格能大。
例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低。高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能，如UTiN>UMgO>UNaCl。
扩展资料
离子化合物都有较高的熔点和沸点，这是和它们离子晶体有很大的晶格能有关。由于UMgO>UNaF，MgO的熔点（2800℃）比NaF的熔点（988℃）高得多。
晶格能的大小决定离子晶体的稳定性，用它可以解释和预言离子晶体的许多物理和化学性质。例如，根据晶格能大小可以求得难以从实验测出的电子亲和势，可以求得离子化合物的溶解热，并能预测溶解时的热效应。
晶格能越大，表示离子键越强，晶体越稳定。
晶格能越大，熔化或破坏离子晶体时消耗的能量就越大，相应的熔点就越高，硬度就较大。亚铜离子为18电子构型，钠离子为8电子构型，亚铜离子的极化作用大于钠离子，所以共价键成分更多，晶格能更小，熔沸点更低。因此Cu2S 参考资料来源：百度百科-晶格能
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