有几个方面的原因，igbt在低压小电流的时候饱和压降比较大，发热较多跟场效应管比没有优势，只有高压大电流才能体现出高的效率，开关速度和场效应管比不是一个档次的，高频应用发热也比较大，栅电容估计比场效应管大，驱动不足也会引起发热。热不一定会烧毁，散热片100度以内估计不会坏，毕竟电压和电流余量比较大，温度可以高点。
