内存时序高好还是低好

相同频率的内存，时序越低越好。

时序里的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11个时钟，在1600Mhz的内存里默认时序是11-11-11， 1333Mhz默认是9-9-9. 

所以1600Mhz的内存，时序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11时序的内存要快谢谢。

常见的超频，除了改频率1333 到 1600Mhz, 高手还会改时序。

内存时序

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，可通过参数手动设置。

基本解释

一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

参数简介

存取时序上面的表格展示的是一次普通的DRAM存储周期。首先，行地址信息会被送到DRAM中，经历了tRCD这段时间之后，行地址已经进行了“选通”。由于现今的存储器一般是SDRAM，我们可以一次多多个列提取信息，而每一次读取需要tCAS(R)这么多的时间。当列操作结束时，DRAM需要tRP这么多的时间进行预充电，以便为下一次存取操作做准备。而一般来说，tRAS>tRCD + tCAS + 2，这是因为需要留足够的时间给存取的数据去“流动”。经过这样的了解，我们可以通俗的理解这几个参数：

tCAS：列寻址所需要的时钟周期（周期的数量表示延迟的长短）

tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值

tRP：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期

tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期

相同频率的内存，时序越低越好。
时序里的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11个时钟，在1600Mhz的内存里默认时序是11-11-11， 1333Mhz默认是9-9-9.
所以1600Mhz的内存，时序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11时序的内存要快谢谢。
常见的超频，除了改频率1333 到 1600Mhz, 高手还会改时序

延迟越低，速度越快。
一般内存是频率越高，延迟越大。
威刚红色威龙DDR2 800+
CL4-4-4-12，标是这样标的，但一般在800M频率都是在5-5-5-15，在667M时有可能4-4-4-12。
芝奇DDR2 800
CL5-5-5-15应该这个好。
我用的金邦黑龙条DDR2 800，是为数不多的800M频率时序为4-4-4-12的内存。
内存好不好，关键看颗粒，目前用镁光颗粒的内存最好。

不加压，高时序。。时序对性能影响极小。