硅基氮化镓的突出特点是能够最终集成芯片级的增强功能，可能实现额外的性能优势和空间优化。
其硅基底支持氮化镓器件和基于CMOS的器件未来在单一芯片上均匀集成（由于固有工艺限制，氮化硅基氮化镓不具备该能力)。
硅基氮化镓这一特性为多功能数字辅助射频MMIC集成片上数字控制和校准以及片上配电网络等奠定了基础。
这是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景希望对你有帮助！
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