IGBT可以用于整流吗？

IGBT可以用于整流。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

工作原理：
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

IGBT可以用于整流，传统UPS是可控硅（SCR）整流，IGBT逆变，随着技术发展IGBT可以进行整流，输入功率因数大于0.99，谐波小于3%，只是IGBT的耐电流要低于（SCR）.不过可以通过隔离变压器、(有源滤波)APF等技术进行改善。

当然可以，IGBT作为开关管，当然可以进行整流。
特别是对整流特性要求较高的场合。
缺点是控制难度和成本控制。

关继防(Kevin Guan)

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不可以！IGBT是用于逆变的！