IGBT是全控型功率半导体器件，它是由MOSFET场效应管与GTR大功率达林顿晶体管结合，并有前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速，开关电源等电子领域，就全控性能而言，IGBT是最适合斩波应用的器件，而且技术极为简单，几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。
IGBT也是多元集成结构，它是由一个MOSFET和一个PNP晶体管构成，给栅极施加正偏信号后，MOSFET导通，从而给PNP晶体管提供了基极电流使其导通，给栅极施加反偏信号后，MOSFET关断，使PNP晶体管基极电流为零而截止。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约为3~4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和电力晶体管接近，饱和压降随栅极电压的增加而增加。
能，那是大才小用。
浪费
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