SiGe相比Si和GaAs具有四大优点：由于能量势垒较小，因而功耗较低，开关速度较高；低频和射频范围的噪声系数较低；由于功率输出大，有可能进行崭新的设计；整个制造过程可采用经济有效的解决方案，因为SiGe制造工艺保留了硅制造工艺的大部分成本经济性。
