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有一硅样品在温度为1200℃下进行干氧氧化1小时，产生的氧化层厚度是多少
有一硅样品在温度为1200℃下进行干氧氧化1小时，产生的氧化层厚度是多少
2025-04-09 11:56:48
推荐回答（1个）
回答1：
因题干条件不完整，缺少具体条件，不能正常作答。
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