说出晶体三极管中ib ic ie 形成过程及三者之间的关系

ib由偏置电路提供，偏置电路就是ib的电源，这个不很复杂，与普通电路相似，有电源有回路就有电流，
ic形成过程有点复杂，它既要求要有集电极回路，还要求要有ib，就是说只是给三极管的C-E之间加电压是没有电流通过的，必需还有ib才能有ic，并且ic的大小除了有受电源还受ib及hFE的控制，准确的说就是，ic的最大值由集电极回路限制，（小于最大值的）实际ic=ib * hFE。举例，设三极管的hFE是100，电源20V串联电阻100欧姆接三极管集电极，那么集电极回路最大电流值是200mA ，当ib是0时ic也是0，当ib是1mA时ic是100mA，当ib是2mA时ic是200mA，当ib是2mA以上时，ic却只能都是200mA。
因为E极是ib和ic的公共电路，所以ie是ib和ic的数学和。只要有ib或ic，就有ie。它们的大小关系是
ic=ib * hFE（可见ib比ic小很多）
ie=ib+ic。
进一步说，ib回路与普通电路还是有不同的，主要有两点，一是偏置电压要大于三极管的基-射极正向压降（硅管以0.6~0.7V计，锗管以0.2V~0.3V计)，小于此电压以下不能形成ib。二是偏置电压的方向对于基-射极来说是正向。