这样测Tj是没有意义的，第一，不可能为了测试而损坏LED；第二，这样测试的温度不是结温，因为你破坏了它的工作环境；第三，有专门的结温测试法(看看文献或台标就知道了)
三种方法：一、测试结电压，计算结温；二、测试焊点温度，计算结温；三、热辐射成像仪（红外成像仪）测试芯片表面的温度。
直接把测试点放在芯片上，测出来的温度不是结温。 1. 所为结温∶是在芯片中间 P层和N层接合面的温度，这个接合面不是以粘合方法制作，而是強迫力挤入形成，无法接觸到； 2. 芯片本身(GaAs)热傳导能力有限(和金属比较)； 3. 芯片发光時，以热电偶式量测会有光电效应干擾，以红外线量测有光干擾，所以无法直接量测。所以只有以间接的方法，计算得到。因为芯片上的温度干擾因素无法量化，所以无法采用，只能用LED外侧最接近的金属位置量测，因为热阻系数是固定参数，多测试几種功率，然后以联立方程式计算，可以得到接近的结温。 查看原帖>>
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除！