陶瓷哪些成分能促进银离子的发挥？

一种银离子抗菌陶瓷的制备方法,该方法包括以下步骤:
(1)该将制造陶瓷原料陶瓷泥土用打浆机打成泥浆,泥浆倒入到搅拌机中进行搅拌混合均匀,将泥浆注入到陶瓷模具中,制作出陶瓷泥土坯;
(2)将含有银的氧化物加入陶瓷釉料混合均匀,制得含有杀菌有效成分的银离子陶瓷釉料;
(3)将含有银离子陶瓷釉料擦在陶瓷泥土坯上,含有杀菌有效成分银离子陶瓷釉料陶瓷泥土坯;
(4)把含有杀菌有效成分银离子陶瓷釉料陶瓷泥土坯用具有抗菌作用的光催化剂进行喷涂;
(5)把从步骤(4)中制作出来的擦上瓷釉陶瓷泥土坯放入到窑炉进行烧制,制作成银离子抗菌陶瓷。该方法制造出来的陶瓷抗菌性能好,能有效地抑制细菌滋生。
由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致陶瓷电容器击穿。离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无介质电容器的等效串联电阻增大，陶瓷电容器的损耗角正切值显著上升。
由于正电极面积减小，陶瓷电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使陶瓷电容器的绝缘电阻大幅度下降。综上所述，银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，导致陶瓷电容器击穿。
银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象，比其它类型的陶瓷介质电容器严重得多，原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。银电极与陶瓷介质一次烧结过程中，银参与了陶瓷介质表面的固相反应，渗入了瓷-银接触形成界面层。
如果陶瓷介质不够致密，则水分渗入后，银离子迁移不仅可以在陶瓷介质表面发生，还可能穿透陶瓷介质层。多层叠片结构的缝隙较多，电极位置不易准确，介质表面的留边量小，叠片层两端涂覆外电极时银浆渗入缝隙，降低了介质表面的绝缘电阻，并使电极之间的路径缩短，银离子迁移时容易产生短路现象。